原本只计划在美国建设5nm芯片厂的台积电在去年底态度大变,对美国的投资大增,而且先进工艺也要转移出去,计划投资400亿美元建设3nm芯片厂。
据台积电所说,其亚利桑那州工厂将开始兴建第二期工程,预计于2026年开始生产3nm制程技术,该厂目前兴建中的第一期工程预计于2024年开始生产4nm制程技术(原计划是5nm),两期工程总投资金额约为400亿美元。
台积电表示,除了帮助建设厂房地的1万多名建筑工人外,台积电亚利桑那州的两座晶圆厂预计将额外创造1万个高薪高科技工作岗位,其中包括4500个直接受雇于台积电的工作岗位。
然而台积电选择美国建厂不是没有代价的,在日前的说法会上,台积电CEO魏哲家承认,美国直接建厂的厂房成本发是台积电的四五倍,这不仅要归咎于美国的通胀及各种人工成本,还有各种许可证的额外成本,包括环境影响评估等等。
在美国建厂的成本原告于本土,但台积电表示将寻求各种方式来降低成本。
文章来源:
快科技
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请联系我们,一经查实,本站将立刻删除;如已特别标注为本站原创文章的,转载时请以链接形式注明文章出处,谢谢!
还木有评论哦,快来抢沙发吧~